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HYMP112S648-Y5

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, SODIMM-200
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文件大小254KB,共20页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMP112S648-Y5概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.45ns, CMOS, SODIMM-200

HYMP112S648-Y5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
Objectid2083473473
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
compound_id6407092
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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