电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

H5TC8G43AMR

产品描述512M X 16 DDR DRAM, PBGA96
产品类别存储   
文件大小436KB,共35页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

H5TC8G43AMR概述

512M X 16 DDR DRAM, PBGA96

512M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, PBGA96

H5TC8G43AMR规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量96
最大工作温度85 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压1.45 V
最小供电/工作电压1.28 V
额定供电电压1.35 V
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距0.8000 mm
端子位置BOTTOM
包装材料PLASTIC/EPOXY
温度等级OTHER
内存宽度16
组织512M X 16
存储密度8.59E9 deg
操作模式SYNCHRONOUS
位数5.37E8 words
位数512M
存取方式MULTI BANK PAGE BURST
内存IC类型DDR DRAM
端口数1

H5TC8G43AMR相似产品对比

H5TC8G43AMR H5TC8G43AMR-G7A H5TC8G43AMR-H9A H5TC8G43AMR-PBA H5TC8G63AMR-G7A H5TC8G63AMR-H9A H5TC8G63AMR-PBA H5TC8G83AMR-G7A H5TC8G83AMR-H9A H5TC8G83AMR-PBA
描述 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 512M X 16 DDR DRAM, PBGA96 1G X 8 DDR DRAM, PBGA78
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 96 96 96 96 96 96 96 96 96 78
表面贴装 Yes Yes Yes Yes Yes Yes YES Yes Yes YES
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16 8
组织 512M X 16 512M X 16 512M X 16 512M X 16 512M X 16 512M X 16 512MX16 512M X 16 512M X 16 1GX8
最大工作温度 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel 85 Cel - 85 Cel 85 Cel -
最小工作温度 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel 0.0 Cel - 0.0 Cel 0.0 Cel -
最大供电/工作电压 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V 1.45 V - 1.45 V 1.45 V -
最小供电/工作电压 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V - 1.28 V 1.28 V -
额定供电电压 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V 1.35 V - 1.35 V 1.35 V -
加工封装描述 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 - HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 -
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE - ACTIVE ACTIVE -
工艺 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS CMOS -
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR -
包装尺寸 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH -
端子间距 0.8000 mm 0.8000 mm 0.8000 mm 0.8000 mm 0.8000 mm 0.8000 mm - 0.8000 mm 0.8000 mm -
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
存储密度 8.59E9 deg 8.59E9 deg 8.59E9 deg 8.59E9 deg 8.59E9 deg 8.59E9 deg - 8.59E9 deg 8.59E9 deg -
操作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
位数 512M 512M 512M 512M 512M 512M - 512M 512M -
存取方式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST -
内存IC类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM -
端口数 1 1 1 1 1 1 - 1 1 -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 78  524  734  772  1647 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved