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FM30E2Y-9

产品描述Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小218KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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FM30E2Y-9概述

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FM30E2Y-9规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
Objectid1444247912
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Codeunknown
compound_id10967551
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PUFM-X5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FM30E2Y-9相似产品对比

FM30E2Y-9 FM30E2Y-10
描述 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 450 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.19 Ω 0.19 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PUFM-X5 R-PUFM-X5
元件数量 1 1
端子数量 5 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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