Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 30 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.19 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X5 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| FM30E2Y-10 | FM30E2Y-9 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 30 A | 30 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.19 Ω | 0.19 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X5 | R-PUFM-X5 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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