Standard SRAM, 64KX1, 15ns, ECL, CDIP22, CERDIP-22
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP22,.3 |
针数 | 22 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T22 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 27.18 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 |
负电源额定电压 | -4.5 V |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 22 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX1 |
输出特性 | OPEN-EMITTER |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP22,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | -4.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.84 mm |
最大待机电流 | 0.12 A |
最小待机电流 | 4.3 V |
最大压摆率 | 0.12 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | ECL |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
HM100490-15 | HM100490CG-15 | HM100490F-15 | |
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描述 | Standard SRAM, 64KX1, 15ns, ECL, CDIP22, CERDIP-22 | Standard SRAM, 64KX1, 15ns, ECL, CQCC22, CC-22 | Standard SRAM, 64KX1, 15ns, ECL, CDFP22, FP-22 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | DIP | QFN | DFP |
包装说明 | DIP, DIP22,.3 | QCCN, LCC22,.3X.5 | DFP, FL24,.54,30 |
针数 | 22 | 22 | 22 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 15 ns | 15 ns | 15 ns |
I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T22 | R-CQCC-N22 | R-GDFP-F22 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 | 1 | 1 |
负电源额定电压 | -4.5 V | -4.5 V | -4.5 V |
功能数量 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 22 | 22 | 22 |
字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
组织 | 64KX1 | 64KX1 | 64KX1 |
输出特性 | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER | OPEN-EMITTER |
可输出 | NO | NO | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP | QCCN | DFP |
封装等效代码 | DIP22,.3 | LCC22,.3X.5 | FL24,.54,30 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | -4.5 V | -4.5 V | -4.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 5.84 mm | 2.11 mm | 2.286 mm |
最大待机电流 | 0.12 A | 0.12 A | 0.12 A |
最小待机电流 | 4.3 V | 4.3 V | 4.3 V |
最大压摆率 | 0.12 mA | 0.12 mA | 0.12 mA |
表面贴装 | NO | YES | YES |
技术 | ECL | ECL | ECL |
温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | FLAT |
端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 0.762 mm |
端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
长度 | 27.18 mm | 12.45 mm | - |
宽度 | 7.62 mm | 7.37 mm | - |
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