MWS5114D1/3W概述

Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18

MWS5114D1/3W规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	RCA
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	300 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
端子数量	18
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流	0.000125 A
最小待机电流	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

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MWS5114D1/3W相似产品对比

	MWS5114D1/3W	MWS5114D/3	MWS5114D/3W	MWS5114E3X	MWS5114D1X	MWS5114D1	MWS5114E2X	MWS5114E2	MWS5114D2
描述	Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 650ns, CMOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 650ns, CMOS, CDIP18	Standard SRAM, 1KX4, 200ns, CMOS, PDIP18,	Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18,	Standard SRAM, 1KX4, 300ns, CMOS, CDIP18,	Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18,	Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, PDIP18,	Standard SRAM, 1KX4, 250ns, CMOS, CDIP18,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	RCA	RCA	RCA	RCA	RCA	RCA	RCA	RCA	RCA
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
最长访问时间	300 ns	650 ns	650 ns	200 ns	300 ns	300 ns	250 ns	250 ns	250 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4
端子数量	18	18	18	18	18	18	18	18	18
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4	1KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
最大待机电流	0.000125 A	0.000015 A	0.000015 A	0.00005 A	0.000125 A	0.000125 A	0.00005 A	0.00005 A	0.00005 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified

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