电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

DM2240J2-12I

产品描述Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28
产品类别存储    存储   
文件大小625KB,共16页
制造商Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
官网地址http://www.cypress.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

DM2240J2-12I概述

Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28

DM2240J2-12I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
包装说明SOJ, SOJ28,.34
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间30 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型CACHE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

DM2240J2-12I相似产品对比

DM2240J2-12I DM2240J3-12 DM2240J3-12I DM2240T3-15I DM2240J2-15 DM2240J2-15I DM2240T2-15I DM2240J2-12 DM2240T2-12L
描述 Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44 Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 35ns, MOS, PDSO44 Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO28 Cache DRAM, 4MX1, 30ns, MOS, PDSO44
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation) Ramtron International Corporation (Cypress Semiconductor Corporation)
包装说明 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 TSOP, TSOP44,.36,32 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 TSOP, TSOP44,.36,32 SOJ, SOJ28,.34 TSOP, TSOP44,.36,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN FAST EDO/STATIC COLUMN
最长访问时间 30 ns 30 ns 30 ns 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns 30 ns 30 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 8K X 1 SRAM RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 8K X 1 SRAM
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G44 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G44 R-PDSO-J28 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bi
内存集成电路类型 CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM CACHE DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 44 28 28 44 28 44
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C - -
组织 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1 4MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ SOJ TSOP SOJ SOJ TSOP SOJ TSOP
封装等效代码 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 TSOP44,.36,32 SOJ28,.34 SOJ28,.34 TSOP44,.36,32 SOJ28,.34 TSOP44,.36,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024 1024
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO NO YES
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.225 mA 0.225 mA 0.225 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.225 mA 0.225 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 3 V 3 V 3 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS MOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND J BEND GULL WING J BEND J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
树莓派学习——配件篇
[i=s] 本帖最后由 mzb2012 于 2017-2-22 22:57 编辑 [/i][font=新宋体][size=5]入手raspberry3有一阵子了,零零星星实践了一些小实验,感觉还是蛮有意思的,吃灰也有一阵子,有空重新捯饬起来,大家一起学习。[b]1.主板[/b][/size][/font][font=新宋体][size=5]原装正品,ARM论坛从UK代购[/size][size=5...
mzb2012 综合技术交流
首批LaunchPad 收到,感谢TI和EEWORD
昨天去参加TI的研讨会,没有抽中奖品,心里还郁闷的不行(一等奖ITouch的说),今天就收到了这个。嘿嘿,还是挺激动的。...
longdregon 微控制器 MCU
半导体封装形式介绍
[b]摘 要[/b]:半导体器件有许多封装型式,从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP,技术指标一代比一代先进,这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。总体说来,它大概有三次重大的革新:第一次是在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装,极大地提高了印刷电路板上的组装密度;第二次是在上世纪90年代球型矩正封装的出现,它不但满足了市场高引脚的需求,而且大大地改善了半...
songbo PCB设计
寻愿意兼职的电子技术开发人员
本人有一小型医疗项目,采集人体弱电信号,放大并过滤干扰信号,并对采集的信号进行分析反馈,有这方面开发经验者可联系13545869313,QQ631947129...
benin 求职招聘
如何用一个tflash卡,一个nand flash,一个usb从设备控制器实现两个盘符的u盘
以前是一个tflash卡,一个usb从设备控制器,实现一个u盘现在想用一个tflash卡,一个nand flash,一个usb从设备控制器实现两个盘符的u盘。怎么改动你觉得比较恰当。最开始的想法是只把LUN改变,通过不同的LUN值来实现对两个u盘进行数据访问,后来发现是错误。请问怎么做比较好,谢谢...
watersondf 嵌入式系统
分享DSP281x 读写EEPROM 24C02编程例程
源程序如下:/******************************************************************//*//*Module Name: GPIO*//*File Name: main.c*//*Function: 读写EEPROM 24C02*//*Description:*//************************************...
Aguilera DSP 与 ARM 处理器

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 14  649  1518  1661  1688 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved