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APT20N60BC3

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小201KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT20N60BC3概述

Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN

APT20N60BC3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid2121120303
零件包装代码TO-247AD
包装说明TO-247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
YTEOL0
其他特性AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级(Eas)690 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)20.7 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)208 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)62 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

APT20N60BC3相似产品对比

APT20N60BC3 APT20N60SC3
描述 Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 2121120303 2121120320
包装说明 TO-247, 3 PIN D3PAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99

 
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