Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 2121120303 |
零件包装代码 | TO-247AD |
包装说明 | TO-247, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
YTEOL | 0 |
其他特性 | AVALANCHE ENERGY RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 690 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 20.7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.19 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247AD |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 208 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 62 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
APT20N60BC3 | APT20N60SC3 | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Objectid | 2121120303 | 2121120320 |
包装说明 | TO-247, 3 PIN | D3PAK-3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved