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CMAD4448TRLEADFREE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小341KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMAD4448TRLEADFREE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM),

CMAD4448TRLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.65 V
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.25 A
最大重复峰值反向电压120 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

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CMAD4448
SURFACE MOUNT
ULTRA HIGH SPEED SILICON
SWITCHING DIODE
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMAD4448
is an ultra high speed switching diode ideal for
applications where very small size and operational
efficiency are prime requirements.
MARKING CODE: M
SOD-923 CASE
APPLICATIONS:
DC / DC Converters
Voltage Clamping
Protection Circuits
Battery powered applications including
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,
PDAs, Laptop Computers, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Peak Repetitive Reverse Voltage
Continuous Forward Current
Peak Repetitive Forward Current
Peak Forward Surge Current, tp=1 .0μs
Peak Forward Surge Current, tp=1.0s
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
FEATURES:
Current (IO=250mA)
Forward Voltage Drop (VF=0.91V TYP @ 100mA)
Extremely Fast Switching Speed (4ns Max)
Miniture, 0.8 x 0.6 x 0.4mm, ultra low height profile
FEMTOmini
TM
Surface Mount Package.
SYMBOL
VRRM
IF
IFRM
IFSM
IFSM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
120
250
500
4.0
1.0
100
-65 to +150
1250
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
IR
IR
IR
BVR
VF
VF
VF
CT
trr
VR=50V
VR=50V, TA=125°C
VR=100V
IR=100μA
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=100mA
VR=0, f=1.0MHz
IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA
120
0.55
0.67
0.85
TYP
MAX
300
100
500
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
pF
ns
150
0.59
0.72
0.91
2.0
0.65
0.77
1.0
2.0
4.0
R1 (8-January 2010)

CMAD4448TRLEADFREE相似产品对比

CMAD4448TRLEADFREE CMAD4448BK CMAD4448TR
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2 Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code compliant not_compliant _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.65 V 0.65 V 0.65 V
JESD-609代码 e3 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 4 A 4 A 4 A
元件数量 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.25 A 0.25 A 0.25 A
最大重复峰值反向电压 120 V 120 V 120 V
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否无铅 - 含铅 含铅
包装说明 - 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2
针数 - 2 2
二极管元件材料 - SILICON SILICON
JESD-30 代码 - R-PDSO-F2 R-PDSO-F2
端子数量 - 2 2
最低工作温度 - -65 °C -65 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 - 0.1 W 0.1 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子形式 - FLAT FLAT
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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