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CMAD4448BK: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小341KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMAD4448BK概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2

CMAD4448BK规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.65 V
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	4 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.25 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.1 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	120 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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CMAD4448

SURFACE MOUNT

ULTRA HIGH SPEED SILICON

SWITCHING DIODE

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMAD4448

is an ultra high speed switching diode ideal for

applications where very small size and operational

efficiency are prime requirements.

MARKING CODE: M

SOD-923 CASE

APPLICATIONS:

•

DC / DC Converters

•

Voltage Clamping

•

Protection Circuits

•

Battery powered applications including

Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,

PDAs, Laptop Computers, etc.

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=1 .0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

FEATURES:

•

Current (IO=250mA)

•

Forward Voltage Drop (VF=0.91V TYP @ 100mA)

•

Extremely Fast Switching Speed (4ns Max)

•

Miniture, 0.8 x 0.6 x 0.4mm, ultra low height profile

FEMTOmini

Surface Mount Package.

SYMBOL

VRRM

IFRM

IFSM

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

120

250

500

4.0

1.0

100

-65 to +150

1250

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

BVR

trr

VR=50V

VR=50V, TA=125°C

VR=100V

IR=100μA

IF=1.0mA

IF=10mA

IF=100mA

VR=0, f=1.0MHz

IR=IF=10mA, RL=100Ω, Rec. to 1.0mA

120

0.55

0.67

0.85

TYP

MAX

300

100

500

UNITS

μA

150

0.59

0.72

0.91

2.0

0.65

0.77

1.0

2.0

4.0

R1 (8-January 2010)

CMAD4448BK相似产品对比

	CMAD4448BK	CMAD4448TRLEADFREE	CMAD4448TR
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM),	Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 120V V(RRM), Silicon, 0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.65 V	0.65 V	0.65 V
JESD-609代码	e0	e3	e0
最大非重复峰值正向电流	4 A	4 A	4 A
元件数量	1	1	1
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	0.25 A	0.25 A	0.25 A
最大重复峰值反向电压	120 V	120 V	120 V
最大反向恢复时间	0.004 µs	0.004 µs	0.004 µs
表面贴装	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)
是否无铅	含铅	-	含铅
包装说明	0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2	-	0.80 X 0.60 MM, 0.40 MM HEIGHT, MINIATURE PACKAGE-2
针数	2	-	2
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON
JESD-30 代码	R-PDSO-F2	-	R-PDSO-F2
端子数量	2	-	2
最低工作温度	-65 °C	-	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.1 W	-	0.1 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
端子形式	FLAT	-	FLAT
端子位置	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED

CMAD4448BK

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CMAD4448BK规格参数

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