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HY51V18160HGJ-5

产品描述Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
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文件大小371KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY51V18160HGJ-5概述

Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

HY51V18160HGJ-5规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ42,.44
针数42
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J42
长度27.06 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量42
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ42,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度3.76 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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