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JANS2N5339U3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小175KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JANS2N5339U3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN

JANS2N5339U3规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-276AA
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-276AA
JESD-30 代码R-XBCC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/560
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/560
DEVICES
LEVELS
2N5339
2N5339U3
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25°C unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
@ T
A
= +25°C
(1)
@ T
C
= +25°C
(2)
@ T
C
= +25°C
(3)
– U3
Operating & Storage Junction Temperature Range
Total Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction-to Air
NOTES:
1) Derate linearly 5.71mW/°C for T
A
> 25°C
2) Derate linearly 100mW/°C for T
C
> 25°C
3) Derate linearly 434mW/°C for T
C
> 25°C – U3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25°C, unless otherwise noted)
Parameters / Test Conditions
OFF CHARACTERTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 50mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 100Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 90Vdc, V
BE
= 1.5Vdc
Collector-Base Cutoff Current
V
CB
= 100Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 6.0Vdc
V
(BR)CEO
I
CEO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
100
100
1.0
1.0
100
Vdc
µAdc
µAdc
µAdc
µAdc
U-3
(TO-276AA)
Symbol
Min.
Max.
Unit
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
op
, T
stg
R
θJA
Value
100
100
6.0
1.0
5.0
1.0
17.5
75
-65 to +200
175
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
°C
°C/W
TO-39
(TO-205AD)
T4-LDS-0011 Rev. 3 (101764)
Page 1 of 4

JANS2N5339U3相似产品对比

JANS2N5339U3 2N5339U3E3 JANTXV2N5339U3 2N5339E3 JANTX2N5339
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-276AA, SMD5, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, TO-39, 3 PIN PNP TRANSISTOR
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 SMD5, 3 PIN CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 TO-39, 3 PIN CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code compli compli compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40 40 40
JEDEC-95代码 TO-276AA TO-276AA TO-276AA TO-205AD TO-205AD
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 YES YES YES NO NO
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否无铅 含铅 - 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 - 不符合
零件包装代码 TO-276AA - TO-276AA - BCY
针数 5 - 5 - 2
JESD-609代码 e0 - e0 - e0
最高工作温度 200 °C - 200 °C - 200 °C
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Qualified - Qualified - Qualified
参考标准 MIL-19500/560 - MIL-19500/560 - MIL-19500/560
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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