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IRFD212

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共1页
制造商Thomson Consumer Electronics
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IRFD212概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFD212规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Thomson Consumer Electronics
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.45 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

IRFD212相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Thomson Consumer Electronics Thomson Consumer Electronics Thomson Consumer Electronics Thomson Consumer Electronics Thomson Consumer Electronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.45 A 0.32 A 0.3 A 0.7 A 0.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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