Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| Objectid | 1400489946 |
| 零件包装代码 | SIMM |
| 包装说明 | SIMM-30 |
| 针数 | 30 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| compound_id | 9640597 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 30 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM |
| 封装等效代码 | SIM30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 20.574 mm |
| 最大待机电流 | 0.0016 A |
| 最大压摆率 | 0.72 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MT8D48ML-8 | MT8D48ML-6 | MT8D48ML-7 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 | Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30 | Fast Page DRAM Module, 4MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| 零件包装代码 | SIMM | SIMM | SIMM |
| 包装说明 | SIMM-30 | SIMM-30 | SIMM-30 |
| 针数 | 30 | 30 | 30 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 80 ns | 60 ns | 70 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; BATTERY BACKUP REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 | R-XSMA-N30 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 33554432 bit | 33554432 bit | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 30 | 30 | 30 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX8 | 4MX8 | 4MX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM | SIMM | SIMM |
| 封装等效代码 | SIM30 | SIM30 | SIM30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 20.574 mm | 20.574 mm | 20.574 mm |
| 最大待机电流 | 0.0016 A | 0.0016 A | 0.0016 A |
| 最大压摆率 | 0.72 mA | 0.88 mA | 0.8 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
stm32/stm8
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