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K7P401823B-H65000

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
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文件大小411KB,共13页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7P401823B-H65000概述

Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K7P401823B-H65000规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
Objectid1976775912
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
compound_id9914356
最长访问时间6.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

K7P401823B-H65000相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 119 119 119 119 119 119
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 6.5 ns 7.5 ns 7 ns 6.5 ns 7 ns 7.5 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 36 36 36 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 119 119 119 119 119
字数 262144 words 131072 words 131072 words 131072 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 128000 128000 128000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX18 128KX36 128KX36 128KX36 256KX18 256KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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