K7P401823B-H70000,K7P401823B-H70000 pdf中文资料,K7P401823B-H70000引脚图,K7P401823B-H70000电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K7P401823B-H70000

K7P401823B-H70000: 产品描述Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小411KB，共13页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

K7P401823B-H70000概述

Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K7P401823B-H70000规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	7 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	119
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm

K7P401823B-H70000相似产品对比

	K7P401823B-H70000	K7P403623B-H75000	K7P403623B-H70000	K7P403623B-H65000	K7P401823B-H75000	K7P401823B-H65000
描述	Standard SRAM, 256KX18, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119	Standard SRAM, 256KX18, 6.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,	BGA,
针数	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	7 ns	7.5 ns	7 ns	6.5 ns	7.5 ns	6.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	18	36	36	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119
字数	262144 words	131072 words	131072 words	131072 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	128000	128000	128000	256000	256000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX18	128KX36	128KX36	128KX36	256KX18	256KX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

K7P401823B-H70000

K7P401823B-H70000概述

K7P401823B-H70000规格参数

K7P401823B-H70000相似产品对比

推荐资源