K8A6415ETC-SC7B0,K8A6415ETC-SC7B0 pdf中文资料,K8A6415ETC-SC7B0引脚图,K8A6415ETC-SC7B0电路-Datasheet-电子工程世界

K8A6415ETC-SC7B0: 产品描述Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共54页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K8A6415ETC-SC7B0概述

Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88
针数	88
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	70 ns
其他特性	TOP BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块	TOP
命令用户界面	YES
通用闪存接口	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PBGA-B88
长度	11 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
部门数/规模	8,127
端子数量	88
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA88,8X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小	8 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.1 mm
部门规模	4K,32K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	8 mm

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