Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTX2N7225U

JANTX2N7225U: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小363KB，共28页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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JANTX2N7225U概述

Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN

JANTX2N7225U规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	27.4 A
最大漏极电流 (ID)	27.4 A
最大漏源导通电阻	0.105 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/592
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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The documentation and process conversion

measures necessary to comply with this revision

shall be completed by 1 June 2013.

IINCH-POUND

MIL-PRF-19500/592G

17 April 2013

SUPERSEDING

MIL-PRF-19500/592F

2 June 2010

PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET

SEMICONDUCTOR DEVICE, REPETITIVE AVALANCHE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL,

SILICON, TYPES 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U,

2N7227U, AND 2N7228U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC

This specification is approved for use by all Departments

and Agencies of the Department of Defense.

The requirements for acquiring the product described herein shall consist of

this specification sheet and MIL-PRF-19500.

1. SCOPE

1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for an N-channel, enhancement-mode,

MOSFET, power transistor intended for use in high density power switching applications. Four levels of product

assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500, and two levels of product

assurance for each unencapsulated device type die, with avalanche energy ratings (EAS and EAR) and maximum

avalanche current (IAR).

1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA), figure 2 (TO-276AB, surface mount), and figures 3, 4, and 5

for JANHC and JANKC (die) dimensions.

1.3 Maximum ratings. (T

= +25°C, unless otherwise specified).

Type

(1)

= +25°C

4.0

(2)

(3)

= +25°C

A dc

34.0

27.4

14.0

12.0

(2)

= +100°C

A dc

(4)

and

STG

°C

-55

+150

ISO

70,000

foot

max

(5)

V dc

±20

A dc

34.0

27.4

14.0

12.0

A(pk)

136

110

°C/W

0.83

2N7224, 2N7224U

2N7225, 2N7225U

2N7227, 2N7227U

2N7228, 2N7228U

150

400

500

See notes on next page.

* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,

Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to

Semiconductor@dla.mil.

Since contact information can change, you may want to verify the currency of this

address information using the ASSIST Online database at

https://assist.dla.mil/.

AMSC/NA

FSC 5961

JANTX2N7225U相似产品对比

	JANTX2N7225U	JANTX2N7224U	JANHCA2N7228	JANHCA2N7227	JANHCA2N7225
描述	Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	DIE-3	DIE-3	DIE-3
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	unknown	not_compliant
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	150 mJ	750 mJ	700 mJ	500 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	200 V	100 V	500 V	400 V	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	27.4 A	34 A	12 A	14 A	27.4 A
最大漏极电流 (ID)	27.4 A	34 A	12 A	14 A	27.4 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A	136 A	48 A	56 A	110 A
认证状态	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/592	MIL-19500/592	MIL-19500/592E	MIL-19500/592E	MIL-19500/592E
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	-	EAR99
Base Number Matches	1	1	1	-	-

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