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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANHCA2N7228
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JANHCA2N7228

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小363KB，共28页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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JANHCA2N7228概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3

JANHCA2N7228规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明DIE-3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级（Eas）750 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XUUC-N3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/592E
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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The documentation and process conversion
measures necessary to comply with this revision
shall be completed by 1 June 2013.
IINCH-POUND
MIL-PRF-19500/592G
17 April 2013
SUPERSEDING
MIL-PRF-19500/592F
2 June 2010
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET
SEMICONDUCTOR DEVICE, REPETITIVE AVALANCHE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL,
SILICON, TYPES 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U,
2N7227U, AND 2N7228U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, AND JANKC
This specification is approved for use by all Departments
and Agencies of the Department of Defense.
The requirements for acquiring the product described herein shall consist of
this specification sheet and MIL-PRF-19500.
1. SCOPE
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for an N-channel, enhancement-mode,
MOSFET, power transistor intended for use in high density power switching applications. Four levels of product
assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500, and two levels of product
assurance for each unencapsulated device type die, with avalanche energy ratings (EAS and EAR) and maximum
avalanche current (IAR).
1.2 Physical dimensions. See figure 1 (TO-254AA), figure 2 (TO-276AB, surface mount), and figures 3, 4, and 5
for JANHC and JANKC (die) dimensions.
1.3 Maximum ratings. (T
A
= +25°C, unless otherwise specified).
Type
P
T
(1)
T
C
= +25°C
W
P
T
T
A
= +25°C
W
4.0
4.0
4.0
4.0
V
GS
I
D1
(2)
(3)
T
C
= +25°C
A dc
34.0
27.4
14.0
12.0
I
D2
(2)
T
C
= +100°C
A dc
21
17
9
8
I
S
I
DM
(4)
T
J
and
T
STG
°C
-55
to
+150
V
ISO
at
70,000
foot
R
θ
JC
max
(5)
V dc
±20
±20
±20
±20
A dc
34.0
27.4
14.0
12.0
A(pk)
136
110
56
48
°C/W
0.83
0.83
0.83
0.83
2N7224, 2N7224U
2N7225, 2N7225U
2N7227, 2N7227U
2N7228, 2N7228U
150
150
150
150
400
500
See notes on next page.
* Comments, suggestions, or questions on this document should be addressed to Defense Supply Center,
Columbus, ATTN: DSCC-VAC, P.O. Box 3990, Columbus, OH 43218-3990, or emailed to
Semiconductor@dla.mil.
Since contact information can change, you may want to verify the currency of this
address information using the ASSIST Online database at
https://assist.dla.mil/.
AMSC/NA
FSC 5961

JANHCA2N7228相似产品对比

JANHCA2N7228 JANTX2N7224U JANTX2N7225U JANHCA2N7227 JANHCA2N7225
描述 Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 DIE-3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 DIE-3 DIE-3
Reach Compliance Code compliant compli compli unknown not_compliant
雪崩能效等级（Eas） 750 mJ 150 mJ 500 mJ 700 mJ 500 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 500 V 100 V 200 V 400 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 34 A 27.4 A 14 A 27.4 A
最大漏极电流 (ID) 12 A 34 A 27.4 A 14 A 27.4 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XUUC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-XUUC-N3 R-XUUC-N3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP CHIP CARRIER CHIP CARRIER UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 136 A 110 A 56 A 110 A
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/592E MIL-19500/592 MIL-19500/592 MIL-19500/592E MIL-19500/592E
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER BOTTOM BOTTOM UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 - EAR99

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