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TK100L60W

产品描述MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小247KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK100L60W概述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

TK100L60W规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
雪崩能效等级(Eas)1582 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
LCD1602光标跳动问题
[img]data:image/png;base64,iVBORw0KGgoAAAANSUhEUgAAAXkAAADBCAYAAAAq7cCRAAAWXklEQVR4Xu2dPYLeuA2G7ZPEN8iWe4SUSbP11KlylFSpXW+TlHsEl84NJifZ+BtbOxqNJLwgIBGiHncegSDwAHxF8fv7+Pz89fcP/IMABCAAgSEJfETkh6wrSUEAA...
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