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IDT70V7399S133DA

产品描述Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V7399S133DA概述

Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144

IDT70V7399S133DA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G144
JESD-609代码e0
长度20 mm
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量144
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度20 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
x
PRELIMINARY
IDT70V7399S
x
x
x
x
x
x
128K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
SRAM Architecture
64 independent 2K x 18 banks
– 2 megabits of memory on chip
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
x
x
x
x
x
x
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 144-pin Thin Quad Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Functional Block Diagram
PL/FT
L
OPT
L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
REPEAT
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
UB
L
LB
L
OE
L
PL/FT
R
OPT
R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
REPEAT
R
R/W
R
CE
0R
CE
1R
UB
R
LB
R
OE
R
CONTROL
LOGIC
MUX
2Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
MUX
CONTROL
LOGIC
I/O
0L-17L
I/O
CONTROL
MUX
2Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 1)
MUX
I/O
CONTROL
I/O
0R-17R
A
10L
A
0L
BA
5L
BA
4L
BA
3L
BA
2L
BA
1L
BA
0L
ADDRESS
DECODE
ADDRESS
DECODE
A
10R
A
0R
BA
5R
BA
4R
BA
3R
BA
2R
BA
1R
BA
0R
BANK
DECODE
MUX
2Kx18
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
BANK
DECODE
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 19
for details.
MUX
,
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5630 drw 01
JANUARY 2001
1
DSC 5630/1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V7399S133DA相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, PQFP144, TQFP-144 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144 Dual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, PQFP144, TQFP-144 Dual-Port SRAM, 128KX18, 15ns, PQFP144, TQFP-144
是否无铅 含铅 不含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP,
针数 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 15 ns 12 ns 15 ns 12 ns 15 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G144 S-PQFP-G144 S-PQFP-G144 S-PQFP-G144 S-PQFP-G144
JESD-609代码 e0 e3 e3 e0 e0
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit 2359296 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18 128KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 260 260 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 30 30 20 20
宽度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
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