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ECG2383

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小100KB,共1页
制造商NTE
官网地址http://www.nteinc.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

ECG2383概述

Transistor,

ECG2383规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NTE
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

ECG2383相似产品对比

ECG2383 ECG2386 ECG2395 ECG2396 ECG2392 ECG66 ECG2372 ECG2373 ECG2384
描述 Transistor, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Transistor, Transistor, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE NTE
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 Single Single - - Single Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 8 A 6 A - - 32 A 12 A 3.5 A 11 A 6 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0 - - e0 e0 e0 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型 P-CHANNEL N-CHANNEL - - N-CHANNEL N-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 75 W 150 W - - 125 W 75 W 40 W 125 W 125 W
表面贴装 NO NO - - NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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