IC QUAD OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 1.9 MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.125 µA |
| 标称共模抑制比 | 94 dB |
| 最大输入失调电压 | 5500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 4 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1900 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 5962-8855902CC | 5962-8855902CX | 5962-8855901CC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC QUAD OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 1.9 MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14, Operational Amplifier | IC QUAD OP-AMP, 5500 uV OFFSET-MAX, 1.9 MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14, Operational Amplifier | IC QUAD OP-AMP, 3500 uV OFFSET-MAX, 1.9 MHz BAND WIDTH, CDIP8, 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14, Operational Amplifier |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 | 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 | 0.250 X 0.750 INCH, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 |
| 针数 | 14 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.125 µA | 0.125 µA | 0.07 µA |
| 标称共模抑制比 | 94 dB | 94 dB | 96 dB |
| 最大输入失调电压 | 5500 µV | 5500 µV | 3500 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e4 | e0 | e4 |
| 长度 | 19.43 mm | 19.43 mm | 19.43 mm |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 标称压摆率 | 0.5 V/us | 0.5 V/us | 0.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.2 mA | 3.2 mA | 2.5 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | Tin/Lead (Sn/Pb) | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1900 kHz | 1900 kHz | 1900 kHz |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm |
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