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IXTM9P25

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1MB,共12页
制造商IXYS
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IXTM9P25概述

Transistor

IXTM9P25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IXYS
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
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