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MBRT40030R

产品描述Silicon Power Schottky Diode
文件大小476KB，共2页
制造商ETC2
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MBRT40030R概述

Silicon Power Schottky Diode

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MBRT40020 thru MBRT40040R
Silicon Power
Schottky Diode
Features
• High Surge Capability
• Types up to 100 V V
RRM
• Isolation Type Package
Three Tower Package
V
RRM
= 20 V - 100 V
I
F
= 400 A
Maximum ratings, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)
Parameter
Repetitive p
p
peak reverse voltage
g
RMS reverse voltage
DC blocking voltage
Continuous forward current
Surge non-repetitive forward
current, Half Sine Wave
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
I
F,SM
T
j
T
stg
T
C
≤
100 °C
T
C
= 25 °C, t
p
= 8.3 ms
Conditions
MBRT40020 (R) MBRT40030 (R) MBRT40035 (R) MBRT40040 (R) Unit
20
14
20
400
3000
-40 to 150
-40 to 175
30
21
30
400
3000
-40 to 150
-40 to 175
35
25
35
400
3000
-40 to 150
-40 to 175
40
28
40
400
3000
-40 to 150
-40 to 175
V
V
V
A
A
°C
°C
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Diode forward voltage
Reverse current
Symbol
V
F
I
R
Conditions
I
F
= 200 A, T
j
= 25 °C
V
R
= 20 V, T
j
= 25 °C
V
R
= 20 V, T
j
= 125 °C
MBRT40020 (R) MBRT40030(R) MBRT40035 (R) MBRT40040 (R) Unit
0.75
1
20
0.14
0.75
1
20
0.14
0.75
1
20
0.14
0.75
1
20
0.14
V
mA
Thermal characteristics
Thermal resistance, junction -
case
R
thJC
°C/W
www.genesicsemi.com
1

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描述 Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode Silicon Power Schottky Diode

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