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181T2: 产品描述LF large signal power amplification; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小95KB，共3页; 制造商New Jersey Semiconductor; 官网地址http://www.njsemi.com

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181T2概述

LF large signal power amplification

181T2规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	New Jersey Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	6 A
集电极-发射极最大电压	90 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	15
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz

181T2相似产品对比

	181T2	BDY23	BDY24	BDY25	180T2	182T2
描述	LF large signal power amplification	LF large signal power amplification	LF large signal power amplification	LF large signal power amplification	LF large signal power amplification	LF large signal power amplification
厂商名称	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor	New Jersey Semiconductor
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A	6 A
集电极-发射极最大电压	90 V	60 V	90 V	140 V	60 V	140 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz

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