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BDY23

产品描述LF large signal power amplification
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共3页
制造商New Jersey Semiconductor
官网地址http://www.njsemi.com
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BDY23概述

LF large signal power amplification

BDY23规格参数

参数名称属性值
厂商名称New Jersey Semiconductor
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz

BDY23相似产品对比

BDY23 BDY24 BDY25 180T2 181T2 182T2
描述 LF large signal power amplification LF large signal power amplification LF large signal power amplification LF large signal power amplification LF large signal power amplification LF large signal power amplification
厂商名称 New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor New Jersey Semiconductor
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A 6 A 6 A 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 60 V 90 V 140 V 60 V 90 V 140 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz

 
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