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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FHD1766Q
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FHD1766Q

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB，共1页
制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd
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FHD1766Q概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

FHD1766Q规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fenghua (HK) Electronics Ltd
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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Medium Power Transistor(NPN)
Medium Power Transistor(NPN)
DESCRIPTION & FEATURES
1) Low
V
CE (sat)
=0.5V(Typ)
(I
C
/
I
B
=2A/0.2A)
2) Epitaxial planar type,
NPN silicon transistor
概述及特點
FHD1766
SOT-89
PIN ASSIGNMENT
引腳說明
PIN NAME
FUNCTION
PIN NUMBER
引腳序號
管腳符號
功½
SOT-89
B
1
BASE
C
2
COLLECTOR
E
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS(T
a
=25℃)
最大額定值
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單½
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
32
Vdc
V
CEO
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
V
CBO
40
Vdc
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
5.0
Vdc
V
EBO
Collector Current
集電極電流
2
Adc
I
C
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
CHARACTERISTIC
特性參數
Symbol
符號
Max
最大值
Unit
單½
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
P
c
500
mW
150，
T
J
℃
Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度
T
stg
-55 ~150
DEVICE MARKING
打標
FHD1766P=DBP(82~180)，FHD1766Q=DBQ(120~270)，FHD1766R=DBR(180~390)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度為
25℃)
Symbol
Test Condition
Min
Type
Max
Unit
Characteristic
特性參數
符號
測試條件
最小值 典型值 最大值 單½
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（
sat
）
f
T
C
Ob
I
C
=1.0mA
I
C
=50µA
I
E
=50µA
V
CB
=20V,I
E
=0
V
EB
=4V, I
C
=0
V
CE
=3V,I
C
=0.5A
I
C
=2A,I
B
=0.2A
V
CE
=5V,I
E
=50mA,
f =100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,
f=1MHZ
32
40
5.0
—
—
82
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.5
100
30
—
—
—
1
1
390
0.8
—
—
V
V
V
uA
uA
集電極-基極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
Transition Frequency
特徵頻率
Collect Output Capacitance
輸出電容
V
MH
Z
pF
1

FHD1766Q相似产品对比

FHD1766Q FHD1766R FHD1766 FHD1766P
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 180 82 82
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 Fenghua (HK) Electronics Ltd - Fenghua (HK) Electronics Ltd Fenghua (HK) Electronics Ltd

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