Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FHT1815G

文档预览

FHT1815G: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小65KB，共1页; 制造商Fenghua (HK) Electronics Ltd

下载文档详细参数选型对比全文预览

FHT1815G概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FHT1815G规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Fenghua (HK) Electronics Ltd
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

General Purpose Transistors

DESCRIPTION & FEATURES

概述及特点

Excellent h

Linearity h

线性特性极½

(0.1mA)/ h

(2mA)=0.95(Typ.)

High高 h

：h

=70~700

Low Noise½噪声：NF=1dB (Typ.),10dB(Max.)

Complementary to FHT1015

与

FH1015

互补

SOT-23

FHT1815

PIN ASSIGNMENT

引脚说明

PIN NAME

FUNCTION

PIN NUMBER

引脚序号

管脚符号

功½

SOT-23

BASE

EMITTER

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS(T

=25℃)

最大额定值

CHARACTERISTIC

特性参数

Symbol

符号

Rating

额定值

Unit

单½

Collector-Emitter Voltage

集电极-发射极电压

CEO

Vdc

Collector-Base Voltage

集电极-基极电压

CBO

Vdc

Emitter-Base Voltage

发射极-基极电压

EBO

5.0

Vdc

Collector Current—Continuous

集电极电流-连续

150

mAdc

Base Current

基极电流

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

热特性

CHARACTERISTIC

特性参数

Symbol

符号

Max

最大值

Unit

单½

Collector Power Dissipation

集电极耗散功率

300

Junction and Storage Temperature结温和储存温度

, T

stg

150，-55 ~150

℃

DEVICE MARKING

打标

，FHT1815Y=BY（120~240）

，

（1）FHT1815O=BO（70~140）

FHT1815G=BG（200~400）

，FHT1815L=BL（350~700）

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

电特性

=25℃ unless otherwise noted

如无特殊说明，温度为

25℃)

Type

典

Symbol

Test Condition

Min

Max

Unit

Characteristic

特性参数

符号

测试条件

最小值

最大值单½

型值

Collector Cutoff Current

集电极截止电流

Emitter Cutoff Current

发射极截止电流

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集电极-发射极击穿电压

Collector-Base Breakdown Voltage

集电极-基极击穿电压

Emitter-Base Breakdown Voltage

发射极-基极击穿电压

DC Current Gain

直流电流增益

Collector-Emitter Saturation Voltage

集电极-发射极饱和压降

Base-Emitter Voltage

基极-发射极电压

Transition Frequency

特征频率

Collector Output Capacitance

输出电容

CBO

EBO

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

CE(sat)

=60V,I

=5V,I

=1.0mA

=100µA

=6V,I

=2mA

=100mA,I

=10mA

=5.0V,I

=10mA

=5.0V,I

=10mA

=10V,I

=0,

f=1MHz

—

100

—

180

4.0

0.1

—

700

0.25

0.82

—

7.0

µA

—

MHz

FHT1815G相似产品对比

	FHT1815G	FHT1815Y	FHT1815	FHT1815O	FHT1815L
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	120	70	70	350
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz	180 MHz
厂商名称	Fenghua (HK) Electronics Ltd	-	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd	Fenghua (HK) Electronics Ltd
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	-	0.3 W	0.3 W

推荐资源

电磁场仿真优化软件包-----IE3D: IE3D是一个基于矩量法的电磁场仿真工具,可以解决多层介质环境下的三维金属结构的电流分布问题。它利用积分的方式求解Maxwell方程组，从而解决电磁波的效应、不连续性效应、耦合效应、和辐射效应 ......; JasonYoo 无线连接

三星2451，CE5.0，DNW串口乱码，有高手碰到过么？: 不是串口接地不良之类原因，通过DNW查看，串口设置应该没问题，其他板子打印是正常的。时而在打印语句中崩些中方之前的乱码，找不到原因，有没有高手碰到过？望指点！...; whisky1020 嵌入式系统

WIN CE.net 5.0 core的设备SD卡加密？: 现在想有点个性，我用的设备是一个导航仪，这上面现在有些我自己的程序，但是我不想别人拷贝到他的设备上用，比如地图，我的自带的道道通地图的卡上面资料我拷贝到新卡上再插回来就不能用，不知 ......; xorange 嵌入式系统

反激式开关电源变压器参数的计算开关电源原理与设计（连载23）: 0.2．反激式开关电源变压器参数的计算反激式开关电源变压器的参数计算与正激式开关电源变压器的参数计算相比，除了变压器初级线圈的匝数和伏秒容量，变压器初、次级线圈的匝数比，以及变压器 ......; noyisi112 电源技术

?为什么我的IC卡发送不了读卡命令: /******************************************************************* 从AT24Cxx读一页数据第一个字节地址置于寄存器ADDR中，数据置于BUFFER中，字节计数器置于寄存器COUNT中。返 ......; ggggds 嵌入式系统

求教各位！帮忙看看: 小弟现在做个东西，电源已经确定输入是5V，要使用单片机输出一个0~5V的模拟量，小弟模拟电子基础不是很好，就想了一个简单的，通过单片机的DAC输出到LM358放大到5V，但是实际测试的时候发现LM35 ......; 李俊锋模拟电子

RFID技术的发展与标准化情况

　　【提要】无线射频识别(RFID)技术是一种识别技术，与之对应的识别技术还有一维条码、二维条码、光学识别技术等。 RFID技术并不是全新的技术，其应用最早可以追溯到第二次世界大战时期英国空军基地的军事设施上。近年来随着微电子、计算机和网络技术的发展，RFID技术的应用范围和深度都得到了迅速地发展。美国在伊拉克战争中对RFID技术的成功应用，以及全球有影响的大企业计划未来几年里在零售商店...[详细]
英飞凌首超意法瑞萨工业份额排名第一

　　据市场调研公司Semicast最近发表的研究报告，英飞凌（Infineon）首次在工业市场排名第一，超过了意法半导体（ST）和瑞萨（Renesas）科技。　　据这项反映2007年市场状况的研究报告，英飞凌的市场份额从上一年的6.4%上升到7.5%。意法半导体的份额则从7.8%降至7.0%。瑞萨科技的市场份额从5.4%提高到6.5%。德州仪器（TI）的市场从5.7%上升到6.3%，但它的排...[详细]
使高分辨率A/D转换器获得更高性能

　　如何才能使A/D转换器实现最高性能呢？明显的答案就是采用良好的设计和板面布局，除此之外，我们还可采用其他技术获得性能提升。我们实际上可采用一些简单的技术来推动A/D转换器性能，使之优于规范的要求。为了实现这一点，我们应了解A/D转换器误差的来源和类型。　　本文的目的是解释A/D转换器最常见的误差源，并介绍进行上述误差补偿的方法。某些误差补偿的方法理解和实施起来都比较容易，而有些方法则不那么...[详细]
高性能、低饱和线性稳压器的开发

　　在整机设备不断实现小型化和省电化的今天，功耗小的低漏失线性稳压器（LDO)正成为开关电源用线性稳压器市场的主流。为了实现高性能和高速度，设备内部采用的微型计算机或数字信号处理器(DSP)工艺年年都在取得突飞猛进的进步和发展，与此同时，这些微型计算机或数字信号处理器必不可少的电源电压也越来越低。另外，不同制造工艺对应的电压各自存在差异，因此要求各种各样的供电电压。为解决这一问题，各生产厂商开始在...[详细]
手机芯片厂商寄望发货量在四季度反弹

就当前手机市场而言，全球范围内的几家手机制造商，包括诺基亚、三星电子、LG电子在内，今年二季季末手机发货量增长都明显放缓。二季度手机发货量放缓，可能成为积蓄力量的理由，但有部分手机芯片厂商认为，这对于眼下的第三季度并非是件好事，他们称，来自客户的反馈信息显示，今年第三季度全球手机市场发货量将低于5%，而在往年，这一比例通常高达20%。手机芯片供应商表示，目前他们对手机厂商的三季度库存尚不...[详细]
TI推出ZigBee认证Z-Stack 软件的最新版

2008 年 7 月 11 日, 德州仪器 (TI) 宣布推出业界领先的 ZigBee 认证 Z-Stack 软件的最新版（可通过 http://focus.ti.com.cn/cn/docs/toolsw/folders/print/z-stack.html 免费下载），此举进一步加强了其在 ZigBee 软硬件系列解决方案领域的领先地位。 Z-Stack...[详细]
Valor 和i-PULSE合作提供NPI解决方案

　　Yamaha Motor Group旗下的i-PULSE有限公司日前已与华尔莱科技（Valor）结为合作伙伴关系，基于Valor的vPlan生产规划工具向i-PULSE组装设备的使用者提供完整的从设计到制造的NPI解决方案。在近期日本东京举办的Protec展会（6/11-6/13）上，i-PULSE首度展出了该新产品并将直接向其客户进行销售。　　新产品的名称为“iPlan”，它将提供一系...[详细]
基于MSP430F413的新型智能水表的设计(图)

　　针对传统水表落后产生的一系列问题，国家建设部提出了城镇居民住宅“三表出户”的要求。所以目前国内的很多水表生产厂家都在进行产品新型化的探索，大部分采用单片机技术，智能水表系统的实用性研究己成为当前仪表行业的热点之一。本文介绍的就是一种基于MSP430F413单片机的智能水表的设计。　　本论文以智能IC卡水表系统为研究对象，重点探讨了基于MSP430F413型超低功耗单片机在低功耗智能仪表上...[详细]
多节锂离子电池的充放电保护(图)

　　锂离子电池是一种应用广泛的可充电电池，它具有单体工作电压高、体积小、重量轻、能量密度高、循环使用寿命长，可在较短时间内快速充足电以及允许放电温度范围宽等优点。此外，锂离子电池还有自放电电流小、无记忆效应和无环境污染等优点。其全球供货量正在持续增加。根据市场调研公司的报告，07全年锂离子可充电电池的全球供货量比上年增加了17%。而随着锂离子电池的使用面的扩大，对锂离子电池的充放电保护就显得愈发...[详细]
GPS芯片供应商排名公布博通位居榜首

　　据ABI研究公司发布的最新供应商矩阵排名中，博通(Broadcom)公司位居榜首，Atheros通信公司以及NXP半导体公司分别成为ABI评估的全球GPS集成电路供应商排行中的榜眼与探花。　　供应商矩阵是ABI公司开发出的分析工具，分析者们可以清晰地从中了解到供应商在特定市场上的排名。ABI公司采取了几个指标进行评估供应商，其中两个最重要的参数指标为创新、执行。　　首席公司分析师Do...[详细]
未来发展新动力：光伏太阳能汽车是希望

　　画面是我们在“31号停车场”上铺设的SolarMagic赛车道。车道上停放的两辆高尔夫球车都在车顶安装设了先进的光伏太阳能电池板。停在左方的黄色赛车采用传统的太阳能技术，而停在右方的蓝色赛车采用美国国家半导体公司的SolarMagic技术。车道上搭建了几个拱门架，在架下有太阳投射的阴影。两条车道完全相同，拱门架下格子图案的阴影也相同。　　当高尔夫球车进入车道时，我们看到车上的电池板慢慢进...[详细]
TD-SCDMA射频测试总结（一）

　　TD－SCDMA终端一致性测试包括射频指标测试（参考标准：3GPPTS34.122），协议信令测试（参考标准：3GPPTS34.123）和其他测试（参考标准：3GPPTS31.120）三类测试。　　其中射频指标测试分为“发射机特性测试”“接收机特性测试”“性能指标测试”和“支持无线资源管理测试”。　　发射机特性测试：包括UE最大发射功率、频率稳定性、最小发射功率、占用带宽、邻道泄漏抑...[详细]
英特尔宣布完成首款无线WiMax芯片设计

　　英特尔近日宣布已经完成了首款移动WiMax芯片的设计，预计这一产品最早将于2008年出现在笔记本中。值得注意的是，英特尔计划将WiMax芯片同Wi-Fi整合在一起，打造一款名为“WiMax Connection 2300”的芯片组。　　首款WiMax芯片设计的完成，意味着英特尔距离创建一个完整移动WiMax平台的目标又近了一步。英特尔希望通过这一平台在更广阔的范围内为用户提供更快的无线互...[详细]
医疗器械领域公认潜力最大的市场是中国

　　虽然目前世界上最大的医疗器械市场是美国、欧盟、日本，但公认潜力最大的市场是中国。在发达国家，医疗设备与器械产业和制药业的产值比为１∶１．９。而在中国，这个比率仅为１∶５。中国医疗器械市场的潜力由此可见一斑。　　　　我国新的医疗体制改革方向已基本明确，国家将逐年加大公共卫生体系和城市社区、农村基层医疗卫生建设，可以预见，我国医疗器械市场将迎来一个快速发展的时期。＂新的医改方案将着重对社区、农...[详细]
做巨头簇拥的精灵 ARM演绎知识产权传奇

如同魔戒中的尼古拉斯，ARM箭不虚发，箭杆由技术打造，箭头却由知识产权锻造。　　ARM（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMHY），一个精灵般的小巨人，已成为英国今日乃至未来都可以为之自豪的企业。正是这个全球员工人数不多的企业，却让德州仪器（TI）、英特尔、诺基亚和摩托罗拉等巨子们为之疯狂。　　ARM在科技企业中当属于另类，它从1991年诞生之日起，十几年来没有生产过一件产品，...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多