电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

WED3DG6366V7D2G

产品描述Synchronous DRAM Module, 64MX8, 5.4ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-144
产品类别存储    存储   
文件大小169KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 全文预览

WED3DG6366V7D2G概述

Synchronous DRAM Module, 64MX8, 5.4ns, CMOS, LEAD FREE, DIMM-144

WED3DG6366V7D2G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间5.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N168
长度133.48 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
座面最大高度30.48 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
宽度2.54 mm

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 161  489  1358  1423  1616 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved