32-BIT, 150MHz, OTHER DSP, CBGA429, CERAMIC, MO-156, BGA-429
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA429,21X21,50 |
| 针数 | 429 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 其他特性 | -40 TO 90 OPERATING CASE TEMPERATURE |
| 地址总线宽度 | 22 |
| 桶式移位器 | NO |
| 位大小 | 32 |
| 边界扫描 | YES |
| 最大时钟频率 | 150 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 32 |
| 格式 | FIXED POINT |
| 内部总线架构 | MULTIPLE |
| JESD-30 代码 | S-CBGA-B429 |
| 长度 | 27 mm |
| 低功率模式 | YES |
| 端子数量 | 429 |
| 最高工作温度 | 90 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA429,21X21,50 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 1.8,3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| RAM（字数） | 65536 |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度 | 3.3 mm |
| 最大供电电压 | 1.89 V |
| 最小供电电压 | 1.71 V |
| 标称供电电压 | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 27 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER |
| SMJ320C6201BGLPS15 | SMJ320C6201BGLPW20 | SMJ320C6201BGLP | SMJ320C6201BGLPS20 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 32-BIT, 150MHz, OTHER DSP, CBGA429, CERAMIC, MO-156, BGA-429 | 32-BIT, 200MHz, OTHER DSP, CBGA429, CERAMIC, MO-156, BGA-429 | 32-BIT, 150MHz, OTHER DSP, CBGA429, CERAMIC, BGA-429 | 32-BIT, 200MHz, OTHER DSP, CBGA429, CERAMIC, MO-156, BGA-429 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | BGA, BGA429,21X21,50 | BGA, BGA429,21X21,50 | BGA, | BGA, BGA429,21X21,50 |
| 针数 | 429 | 429 | 429 | 429 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | unknown | unknown | not_compliant |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 地址总线宽度 | 22 | 22 | 32 | 22 |
| 桶式移位器 | NO | NO | NO | NO |
| 边界扫描 | YES | YES | YES | YES |
| 最大时钟频率 | 150 MHz | 200 MHz | 150 MHz | 200 MHz |
| 外部数据总线宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 格式 | FIXED POINT | FIXED POINT | FLOATING POINT | FIXED POINT |
| 内部总线架构 | MULTIPLE | MULTIPLE | MULTIPLE | MULTIPLE |
| JESD-30 代码 | S-CBGA-B429 | S-CBGA-B429 | S-CBGA-B429 | S-CBGA-B429 |
| 长度 | 27 mm | 27 mm | 27 mm | 27 mm |
| 低功率模式 | YES | YES | YES | YES |
| 端子数量 | 429 | 429 | 429 | 429 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | BGA | BGA | BGA | BGA |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.3 mm | 3.3 mm | 3.3 mm | 3.3 mm |
| 最大供电电压 | 1.89 V | 1.89 V | 3.46 V | 1.89 V |
| 最小供电电压 | 1.71 V | 1.71 V | 3.14 V | 1.71 V |
| 标称供电电压 | 1.8 V | 1.8 V | 3.3 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 27 mm | 27 mm | 27 mm | 27 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER | DIGITAL SIGNAL PROCESSOR, OTHER |
| 其他特性 | -40 TO 90 OPERATING CASE TEMPERATURE | -55 TO 115 OPERATING CASE TEMPERATURE | - | -40 TO 90 OPERATING CASE TEMPERATURE |
| 位大小 | 32 | 32 | - | 32 |
| 最高工作温度 | 90 °C | - | 125 °C | 90 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -55 °C | -40 °C |
| 封装等效代码 | BGA429,21X21,50 | BGA429,21X21,50 | - | BGA429,21X21,50 |
| 电源 | 1.8,3.3 V | 1.8,3.3 V | - | 1.8,3.3 V |
| RAM（字数） | 65536 | 16384 | - | 65536 |
| 筛选级别 | MIL-PRF-38535 | MIL-PRF-38535 | - | MIL-PRF-38535 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | MILITARY | INDUSTRIAL |
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