Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMLT3410BK

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CMLT3410BK: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小465KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMLT3410BK概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6

CMLT3410BK规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	25 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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CMLT3410 CMLT3410G* NPN

CMLT7410 CMLT7410G* PNP

CMLT3474 CMLT3474G* NPN/PNP

SURFACE MOUNT PICOmini™

DUAL LOW VCE(SAT)

SILICON TRANSISTORS

Central

DESCRIPTION:

Semiconductor Corp.

These dual devices are low VCE(SAT) silicon

transistors in a PICOmini™ surface mount package

designed for small signal general purpose amplifier

and switching applications requiring low collector

emitter saturation voltage.

MARKING CODES:

CMLT3410: C34

CMLT7410: C74

CMLT3474: C37

CMLT3410G: 34G

CMLT7410G: 74G

CMLT3474G: 37G

SOT-563 CASE

Device is

Halogen Free

by design

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Current (Peak)

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ,Tstg

6.0

1.0

1.5

350

-65 to +150

357

UNITS

C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:

(TA=25

C unless otherwise noted)

TYP

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

NPN

PNP

MAX

ICBO

VCB=40V

100

IEBO

VEB=6.0V

100

BVCBO

IC=100μA

BVCEO

IC=10mA

BVEBO

IE=100μA

6.0

VCE(SAT)

IC=50mA, IB=5.0mA

VCE(SAT)

IC=100mA, IB=10mA

VCE(SAT)

IC=200mA, IB=20mA

150

VCE(SAT)

IC=500mA, IB=50mA

130

150

250

VCE(SAT)

IC=800mA, IB=80mA

200

220

400

VCE(SAT)

IC=1.0A, IB=100mA

250

275

450

VBE(SAT)

IC=800mA, IB=80mA

1.1

VBE(ON)

VCE=1.0V, IC=10mA

0.9

hFE

VCE=1.0V, IC=10mA

100

hFE

VCE=1.0V, IC=100mA

100

300

100

hFE

VCE=1.0V, IC=500mA

hFE

VCE=1.0V, IC=1.0A

VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz

100

Cob

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMLT3410)

Cob

VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMLT7410)

UNITS

MHz

R1 (7-April 2009)

CMLT3410BK相似产品对比

	CMLT3410BK	CMLT3474TR	CMLT3474GTR	CMLT7410BK	CMLT7410G	CMLT3474BK	CMLT3410G	CMLT3410TR	CMLT3474G	CMLT7410TR
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), NPN and PNP	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6
Reach Compliance Code	compliant	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	compliant	unknown	compliant
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	100	50	50	50	50	50	50	50
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	NPN	NPN AND PNP	NPN/PNP	PNP	PNP	NPN AND PNP	NPN	NPN	NPN AND PNP	PNP
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
厂商名称	Central Semiconductor	-	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6	6	-	6	6	6	6	6	6	6
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
集电极-发射极最大电压	25 V	25 V	-	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V	25 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	-	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
元件数量	2	2	-	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	6	6	-	6	6	6	6	6	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	-	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子形式	FLAT	FLAT	-	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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