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MT47H128M8HQ-187E:E

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小9MB,共134页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
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MT47H128M8HQ-187E:E概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.35ns, CMOS, PBGA60, 8 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H128M8HQ-187E:E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.35 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度11.5 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大压摆率0.425 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度8 mm

文档预览

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1Gb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
Features
V
DD
= +1.8V ±0.1V, V
DDQ
= +1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
8 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths (BL): 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS-compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
Configuration
256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 8 banks)
128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 8 banks)
64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 8 banks)
FBGA package (Pb-free) – x16
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
Rev. G, H
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 11.5mm)
Rev. G
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
FBGA package (lead solder) – x16
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm)
Rev. G, H
FBGA package (lead solder) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 11.5mm)
Rev. G
FBGA package (lead solder) – x4, x8
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. H
Timing – cycle time
1.875ns @ CL = 7 (DDR2-1066)
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
Self refresh
Standard
Low-power
Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C;
–40°C
T
A
85°C)
Automotive (–40°C
T
C
, T
A
105ºC)
Revision
Note:
Marking
256M4
128M8
64M16
HR
HQ
CF
HW
HV
JN
-187E
-25E
-25
-3E
-3
-37E
None
L
None
IT
AT
:G/:H
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
PDF: 09005aef821ae8bf
1GbDDR2.pdf – Rev. V 6/10 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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