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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMPT3906GBKLEADFREE
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CMPT3906GBKLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小327KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMPT3906GBKLEADFREE概述

Transistor

CMPT3906GBKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)100
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)250 MHz

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CMPT3904 CMPT3904G*
CMPT3906 CMPT3906G*
NPN
PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
complementary silicon transistors manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for small signal general
purpose amplifier and switching applications.
SOT-23 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
MARKING CODES: CMPT3904:
CMPT3906:
CMPT3904G*:
CMPT3906G*:
C1A
C2A
CG1
CG2
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMPT3904
CMPT3906
CMPT3904G* CMPT3906G*
60
40
40
6.0
200
350
-65 to +150
357
CMPT3906
CMPT3906G*
MIN
MAX
-
50
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
IBL
VCE=30V, VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IC=0.1mA
CMPT3904
CMPT3904G*
MIN
MAX
-
50
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
R7 (1-February 2010)

CMPT3906GBKLEADFREE相似产品对比

CMPT3906GBKLEADFREE CMPT3906LEADFREE CMPT3904LEADFREE
描述 Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 , SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
配置 Single SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP NPN
表面贴装 YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz 300 MHz
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W
是否无铅 - 不含铅 不含铅
针数 - 3 3
ECCN代码 - EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 40 V 40 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） - 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
端子面层 - MATTE TIN (315) Matte Tin (Sn)
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 10
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
最大关闭时间（toff） - 300 ns 250 ns
最大开启时间（吨） - 70 ns 70 ns

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