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CMPT3904LEADFREE

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小327KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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CMPT3904LEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

CMPT3904LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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CMPT3904 CMPT3904G*
CMPT3906 CMPT3906G*
NPN
PNP
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
These CENTRAL SEMICONDUCTOR devices are
complementary silicon transistors manufactured by the
epitaxial planar process, epoxy molded in a surface
mount package, designed for small signal general
purpose amplifier and switching applications.
SOT-23 CASE
*
Device is
Halogen Free
by design
MARKING CODES: CMPT3904:
CMPT3906:
CMPT3904G*:
CMPT3906G*:
C1A
C2A
CG1
CG2
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
CMPT3904
CMPT3906
CMPT3904G* CMPT3906G*
60
40
40
6.0
200
350
-65 to +150
357
CMPT3906
CMPT3906G*
MIN
MAX
-
50
-
40
40
5.0
-
-
0.65
-
60
80
100
60
30
50
-
-
-
0.25
0.40
0.85
0.95
-
-
300
-
-
40
5.0
UNITS
V
V
V
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICEV
VCE=30V, VEB=3.0V
IBL
VCE=30V, VEB=3.0V
BVCBO
IC=10μA
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(SAT)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
IC=1.0mA
IE=10μA
IC=10mA, IB=1.0mA
IC=50mA, IB=5.0mA
IC=10mA,
IC=50mA,
IB=1.0mA
IB=5.0mA
IC=0.1mA
CMPT3904
CMPT3904G*
MIN
MAX
-
50
-
60
40
6.0
-
-
0.65
-
40
70
100
60
30
50
-
-
-
0.20
0.30
0.85
0.95
-
-
300
-
-
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
IC=1.0mA
VCE=1.0V, IC=10mA
VCE=1.0V, IC=50mA
VCE=1.0V, IC=100mA
R7 (1-February 2010)

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-3 Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 ,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
配置 SINGLE SINGLE Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 100
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN PNP PNP
表面贴装 YES YES YES
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 250 MHz 250 MHz
是否无铅 不含铅 不含铅 -
针数 3 3 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 -
元件数量 1 1 -
端子数量 3 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 -
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W - 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN (315) -
端子形式 GULL WING GULL WING -
端子位置 DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON -
最大关闭时间(toff) 250 ns 300 ns -
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns -

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