M34W02-RBN6,M34W02-RBN6 pdf中文资料,M34W02-RBN6引脚图,M34W02-RBN6电路-Datasheet-电子工程世界

M34W02-RBN6: 产品描述IC,SERIAL EEPROM,256X8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC; 产品类别存储存储; 文件大小913KB，共17页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M34W02-RBN6概述

IC,SERIAL EEPROM,256X8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC

	M34W02-RBN6	M34W02-RBN1
描述	IC,SERIAL EEPROM,256X8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC	IC,SERIAL EEPROM,256X8,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant
数据保留时间-最小值	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	2048 bit	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
端子数量	8	8
字数	256 words	256 words
字数代码	256	256
最高工作温度	85 °C	70 °C
组织	256X8	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
电源	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	I2C	I2C
最大待机电流	0.00003 A	0.00003 A
最大压摆率	0.001 mA	0.001 mA
表面贴装	NO	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
写保护	HARDWARE/SOFTWARE	HARDWARE/SOFTWARE

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