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SSM6N15AFU,LF(T

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小211KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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SSM6N15AFU,LF(T概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

SSM6N15AFU,LF(T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codeunknown
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
最大漏源导通电阻6 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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SSM6N15AFU
TOSHIBA Field Effect Transistor
Silicon N Channel MOS Type (U-MOS
III)
SSM6N15AFU
Load Switching Applications
2.5 V drive
N-ch 2-in-1
Low ON-resistance: R
DS(ON)
= 3.6
Ω
(max) (@V
GS
= 4.0 V)
R
DS(ON)
= 6.0
Ω
(max) (@V
GS
= 2.5 V)
Unit: mm
(Q1, Q2 Common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Drain-Source voltage
Gate-Source voltage
Drain current
Power dissipation
Channel temperature
Storage temperature range
DC
Pulse
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
(Note 1)
T
ch
T
stg
Rating
30
±20
100
400
300
150
−55
to 150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
US6
1.Source1
2.Gate1
3.Drain2
4.Source2
5.Gate2
6.Drain1
JEDEC
JEITA
SC-88
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
TOSHIBA
2-2J1C
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
Weight: 6.8 mg (typ.)
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note 1: Total rating
Mounted on FR4 board
2
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6 mm, Cu Pad: 0.32mm
×
6)
Note:
0.4 mm
0.8 mm
Marking
6
5
4
Equivalent Circuit
(top view)
6
5
4
DI
1
2
3
1
Q1
Q2
2
3
Start of commercial production
2010-11
1
2014-03-01

SSM6N15AFU,LF(T相似产品对比

SSM6N15AFU,LF(T SSM6N15AFU,LF SSM6N15AFU,LF(D
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code unknown - unknown
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压 30 V - 30 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A - 0.1 A
最大漏源导通电阻 6 Ω - 6 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 - R-PDSO-G6
元件数量 2 - 2
端子数量 6 - 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
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