Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SS8550LT1H

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SS8550LT1H: 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小178KB，共2页; 制造商Shandong Yiguang Electronic Joint Stock Co Ltd

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SS8550LT1H概述

Transistor

SS8550LT1H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Shandong Yiguang Electronic Joint Stock Co Ltd
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown

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SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE

RADIOS IN CLASS

B PUSH-PULL OPERATION

Complement to SS8050LT1

Collector Current :Ic= -800mA

High Total Power Dissipation :Pc=625mW

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25℃

Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd

SS8550LT1

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTO

Package:

SOT-23

Characteristic

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation Ta=25℃*

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

Vcbo

Vceo

Veb

Tstg

Rating

-40

-25

-6

-800

625

150

-55-150

Unit

℃

PIN:

STYLE

NO.1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS at Ta=25℃

Characteristic

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage#

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Symbol

BVcbo

BVceo

BVebo

Icbo

Iceo

Iebo

Hfe

Vce(sat)

Vbe(sat)

100

120

-0.6

-1.2

MHz

Min

-40

-25

-6

-100

350

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Ic=-100uA Ie=0

Ic= -1mA Ib=0

Ie= -100uA Ic=0

Vcb= -40V Ie=0

Vce=-20 V Ie=0

Veb=-5V Ic=0

Vce= -1V Ic= 100mA

Vce= -1V Ic= 800mA

Ic= -800mA Ib= -80mA

Vce=-10V Ic=-50mA

f=30MHz

Total Device Dissipation : FR=1

0.75

0.062in Board,Derate 25℃.

Pulse Test : Pulse Width≤300uS,Duty cycle≤2%

CLASSIFICATION OF Hfe

(1)

Rank

Range

DEVICE MARKING:

SS8550LT1=Y2

120—200

200—350

SS8550LT1H相似产品对比

	SS8550LT1H	SS8550LT1L
描述	Transistor	Transistor
厂商名称	Shandong Yiguang Electronic Joint Stock Co Ltd	Shandong Yiguang Electronic Joint Stock Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown	unknown

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