MC-458AB644F-A10,MC-458AB644F-A10 pdf中文资料,MC-458AB644F-A10引脚图,MC-458AB644F-A10电路-Datasheet-电子工程世界

MC-458AB644F-A10: 产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, MOS, DIMM-168; 产品类别存储存储; 文件大小258KB，共12页; 制造商NEC(日电)

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MC-458AB644F-A10概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, MOS, DIMM-168

	MC-458AB644F-A10	MC-458AB644F-A12
描述	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, MOS, DIMM-168	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 9ns, MOS, DIMM-168
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)
Reach Compliance Code	unknown	unknown
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N168	R-XDMA-N168
内存密度	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	168	168
字数	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	8MX64	8MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL

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