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US1K-E3

产品描述VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - US1J-E3/5AT - DIODE; FAST; 1A; 600V; SMA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小82KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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US1K-E3概述

VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - US1J-E3/5AT - DIODE; FAST; 1A; 600V; SMA

VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - US1J-E3/5AT - 二极管; FAST; 1A; 600V; SMA

US1K-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)

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US1A, US1B, US1D, US1G, US1J, US1K, US1M
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Ultrafast Rectifier
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated chip junction
• Ultrafast reverse recovery time
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
• Material categorization: For definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
DO-214AC (SMA)
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
at I
F
T
J
max.
Package
Diode variations
1.0 A
50 V, 100 V, 200 V, 400 V, 600 V,
800 V, 1000 V
30 A
50 ns, 75 ns
1.0 V, 1.7 V
150 °C
DO-214AC (SMA)
Single die
For use in high frequency rectification and freewheeling
application in switching mode converters and inverters for
consumer, computer, automotive, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3 - RoHS-compliant, automotive grade
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at T
L
= 110 °C
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating and storage temperature range
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
US1A
UA
50
35
50
US1B
UB
100
70
100
US1D
UD
200
140
200
US1G
UG
400
280
400
1.0
30
-55 to +150
US1J
UJ
600
420
600
US1K
UK
800
560
800
US1M
UM
1000
700
1000
V
V
V
A
A
°C
UNIT
Revision: 30-Oct-13
Document Number: 88768
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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