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RN1112FS

产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小267KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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RN1112FS概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN1112FS规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)300
JESD-30 代码R-PDSO-F3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.05 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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RN1112,RN1113
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1112, RN1113
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified process
Complementary to RN2112 and RN2113
Unit: mm
Equivalent Circuit
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
c
P
c
T
j
T
stg
Rating
50
50
5
100
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4mg (typ.)
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Input resistor
RN1112
RN1113
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
f
T
C
ob
R1
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
= 50 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
I
C
= 5 mA, I
B
= 0.25 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Min
120
15.4
32.9
Typ.
0.1
250
3
22
47
Max
100
100
700
0.3
6
28.6
61.1
Unit
nA
nA
V
MHz
pF
kΩ
1
2010-03-07

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