8403601ZA,8403601ZA pdf中文资料,8403601ZA引脚图,8403601ZA电路-Datasheet-电子工程世界

8403601ZA: 产品描述2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32; 产品类别存储存储; 文件大小218KB，共27页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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8403601ZA概述

2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32

8403601ZA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	QFN
包装说明	CERAMIC, CC-32
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
长度	13.97 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
宽度	11.43 mm

8403601ZA相似产品对比

	8403601ZA	8403607JA	8403607ZA	8403601JA
描述	2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32	2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32	2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	QFN	DIP	QFJ	DIP
包装说明	CERAMIC, CC-32	CERAMIC, DIP-24	CERAMIC, LCC-32	CERAMIC, DIP-24
针数	32	24	32	24
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns	120 ns	120 ns	200 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE	TTL COMPATIBLE	TTL COMPATIBLE	TTL COMPATIBLE
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-GDIP-T24	R-CQCC-N32	R-GDIP-T24
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	24	32	24
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	QCCN	DIP	QCCN	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.05 mm	5.72 mm	3.05 mm	5.72 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL
宽度	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm

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