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8403607ZA

产品描述2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32
产品类别存储   
文件大小218KB,共27页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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8403607ZA概述

2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32

8403607ZA规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码QFJ
包装说明CERAMIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
其他特性TTL COMPATIBLE
JESD-30 代码R-CQCC-N32
长度13.97 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.05 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

8403607ZA相似产品对比

8403607ZA 8403607JA 8403601JA 8403601ZA
描述 2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32 2KX8 STANDARD SRAM, 120ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, CQCC32, CERAMIC, CC-32
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 QFJ DIP DIP QFN
包装说明 CERAMIC, LCC-32 CERAMIC, DIP-24 CERAMIC, DIP-24 CERAMIC, CC-32
针数 32 24 24 32
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 120 ns 120 ns 200 ns 200 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE TTL COMPATIBLE TTL COMPATIBLE TTL COMPATIBLE
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-GDIP-T24 R-GDIP-T24 R-CQCC-N32
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1
端子数量 32 24 24 32
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN DIP DIP QCCN
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.05 mm 5.72 mm 5.72 mm 3.05 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL QUAD
宽度 11.43 mm 15.24 mm 15.24 mm 11.43 mm
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