MB8501S064CE-100SDG概述

Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144

MB8501S064CE-100SDG规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	8.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PZMA-N144
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG

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	MB8501S064CE-100SDG	MB8501S064CE-67SDG	MB8501S064CE-84SDG	MB8501S064CE-84DG	MB8501S064CE-67LDG	MB8501S064CE-84LDG	MB8501S064CE-100LDG	MB8501S064CE-100DG	MB8501S064CE-67DG
描述	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 8.5ns, CMOS, PZMA144	Synchronous DRAM Module, 1MX64, 9ns, CMOS, PZMA144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	8.5 ns	9 ns	8.5 ns	8.5 ns	9 ns	8.5 ns	8.5 ns	8.5 ns	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144	R-PZMA-N144
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
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工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64	1MX64
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
厂商名称	FUJITSU(富士通)	-	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)

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