CMM5104K概述

Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDFP24

CMM5104K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Harris
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F24
内存密度	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	2.5 V
最大供电电压 (Vsup)	6.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL

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CMM5104K相似产品对比

	CMM5104K	CMM5104D
描述	Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDFP24	Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	250 ns	250 ns
JESD-30 代码	R-CDFP-F24	R-CDIP-T18
内存密度	4096 bit	4096 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	24	18
字数	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
组织	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	2.5 V	2.5 V
最大供电电压 (Vsup)	6.5 V	6.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO
技术	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY
端子形式	FLAT	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL

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