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CMM5104D

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18
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文件大小306KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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CMM5104D概述

Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18

CMM5104D规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间250 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T18
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最小待机电流2.5 V
最大供电电压 (Vsup)6.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

CMM5104D相似产品对比

CMM5104D CMM5104K
描述 Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDIP18 Standard SRAM, 4KX1, 250ns, CMOS, CDFP24
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 250 ns 250 ns
JESD-30 代码 R-CDIP-T18 R-CDFP-F24
内存密度 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 18 24
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小待机电流 2.5 V 2.5 V
最大供电电压 (Vsup) 6.5 V 6.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT
端子位置 DUAL DUAL

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