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TC55465AP-25

产品描述IC 64K X 4 CACHE SRAM, 25 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
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文件大小354KB,共7页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC55465AP-25概述

IC 64K X 4 CACHE SRAM, 25 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM

TC55465AP-25规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.3
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度34.9 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量28
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.45 mm
最大待机电流0.001 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TC55465AP-25相似产品对比

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描述 IC 64K X 4 CACHE SRAM, 25 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 35 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 15 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 35 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 20 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 25 ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28, Static RAM IC 64K X 4 CACHE SRAM, 20 ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28, Static RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 DIP DIP SOJ SOJ SOJ SOJ DIP
针数 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 25 ns 35 ns 15 ns 35 ns 20 ns 25 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 34.9 mm 34.9 mm 18.42 mm 18.42 mm 18.42 mm 18.42 mm 34.9 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOJ SOJ SOJ SOJ DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240 240 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.45 mm 4.45 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 3.7 mm 4.45 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES YES YES NO
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.7 mm 7.62 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 - 含铅
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 SOJ, SOJ28,.34 - DIP, DIP28,.3
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 - DIP28,.3
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - 5 V
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A - 0.001 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
最大压摆率 0.12 mA 0.1 mA 0.12 mA 0.1 mA 0.12 mA - 0.12 mA
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS
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