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M48Z256-120PL1

产品描述256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32
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文件大小213KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M48Z256-120PL1概述

256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32

M48Z256-120PL1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间120 ns
其他特性BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.
JESD-30 代码R-XDMA-T32
JESD-609代码e0
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
混合内存类型N/A
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

M48Z256-120PL1相似产品对比

M48Z256-120PL1 M48Z256Y-120PL1 M48Z256-85PL1 M48Z256Y-85PL1
描述 256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32 256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32 256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA32 256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant _compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 120 ns 120 ns 85 ns 85 ns
其他特性 BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT. BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT. BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT. BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.
JESD-30 代码 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32 R-XDMA-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bit 2097152 bi
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8
混合内存类型 N/A N/A N/A N/A
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX8 256KX8 256KX8 256KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.75 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体)
dds
[i=s] 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:16 编辑 [/i]大家继续努力...
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