M48Z256Y-120PL1,M48Z256Y-120PL1 pdf中文资料,M48Z256Y-120PL1引脚图,M48Z256Y-120PL1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M48Z256Y-120PL1

M48Z256Y-120PL1: 产品描述256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32; 产品类别存储存储; 文件大小213KB，共10页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M48Z256Y-120PL1概述

256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32

M48Z256Y-120PL1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	120 ns
其他特性	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.
JESD-30 代码	R-XDMA-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8
混合内存类型	N/A
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

M48Z256Y-120PL1相似产品对比

	M48Z256Y-120PL1	M48Z256-85PL1	M48Z256-120PL1	M48Z256Y-85PL1
描述	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA32	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32	256KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 85ns, DMA32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	_compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	120 ns	85 ns	120 ns	85 ns
其他特性	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.	BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION; 10 YEARS OF DATA RETENTION AT 25 DEG. CENT.
JESD-30 代码	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32	R-XDMA-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bi
内存集成电路类型	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE	NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8
混合内存类型	N/A	N/A	N/A	N/A
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX8	256KX8	256KX8	256KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.75 V	4.75 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

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