V58C2512804SBI5,V58C2512804SBI5 pdf中文资料,V58C2512804SBI5引脚图,V58C2512804SBI5电路-Datasheet-电子工程世界

V58C2512804SBI5: 产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小926KB，共61页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V58C2512804SBI5概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, GREEN, PLASTIC, MS-024FC, TSOP2-66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ProMOS Technologies Inc
零件包装代码	TSSOP2
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.6 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.01 A
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	2.6 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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